型号: | STB568 |
元件分类: | 限压二极管 |
英文描述: | SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
封装: | DO-35, 2 PIN |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | STB568 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPD401 | SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
MPD300 | SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
STB569 | SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
STNA4FR | 14 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
STPF1660CT | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB5701 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family) |
STB57N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB5BK50Z-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STB5N52K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB5N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |