- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48791 > STB569 SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STB569 |
| 元件分类： | 限压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STB569 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STNA4FR | 14 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPF1660CT | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR1230CT | 6 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR1620CT | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPR1650CT | 8 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB5701 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family) |
| STB57N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB5BK50Z-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB5N52K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB5N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。