型号: | STB75NE75 |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N - CHANNEL 75V - 0.01 ohm - 75A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
中文描述: | ? -通道75V的- 0.01欧姆- 75A条-采用D2PAK STripFET]功率MOSFET |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 279K |
代理商: | STB75NE75 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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STB7NA40-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR |
STB7NA40T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB |
STB80NF55L-08-1 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET |
STB80NF55-06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA |
STB80NF55-06T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB75NE75T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
STB75NF20 | 功能描述:MOSFET Low charge STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB75NF75 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |
STB75NF75L | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 75V 75A D2PAK |
STB75NF75L_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET |