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参数资料
| 型号： | STB75NF75T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直| 75A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | STB75NF75T4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB75NE75 | N - CHANNEL 75V - 0.01 ohm - 75A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
| STB7NA40-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-262VAR |
| STB7NA40T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-263AB |
| STB80NF55L-08-1 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET |
| STB80NF55-06-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB75NH02L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0062W -75A - D2PAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| STB75NH02L_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET |
| STB75NH02LT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 24 Volt 75 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB76NF75 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB76NF80 | 功能描述:MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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