型号: | STB9K10P |
厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 281K |
代理商: | STB9K10P |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STB9NB50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STB9NB50T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
STB9NB60-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
STB9NB60T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |