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参数资料
| 型号： | STB9K13P |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | STB9K13P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB9K51PR | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| STB9K91P | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMZ82 | 82 V, 2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| SUF4002 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| S07M/G1 | 0.7 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-219AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB9NB50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB9NB50T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
| STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB9NB60-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| STB9NB60T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
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