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参数资料
| 型号： | STB9K62PR |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 9000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 281K |
| 代理商： | STB9K62PR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SB330 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SBAV99LT3 | 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| SMBG16CA/5B | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG24/51 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG40/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STB9NB50 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STB9NB50T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
| STB9NB60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
| STB9NB60-1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
| STB9NB60T4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
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