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参数资料
| 型号： | STD13003 |
| 厂商： | AUK Corp |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistor |
| 中文描述： | NPN硅功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 270K |
| 代理商： | STD13003 |
KST-B019-000
2
STD13003
Absolute maximum ratings
(Tc=25℃)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
700
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
9
V
Collector current (DC)
IC
1.5
A
Collector current (Pulse)
ICM
3
A
Base current (DC)
IB
0.75
A
Total Power dissipation (Ta=25℃)
PC
1.2
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55~150
°C
Electrical Characteristics
(Tc=25℃)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Emitter sustaining voltage
VCE(sus)
IC=5mA, IB=0
400
-
V
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
10
uA
IC=0.5A, VCE=2V
8
-
40
DC Current gain
hFE*
IC=1A, VCE=2V
5
-
IC=0.5A, IB=0.1A
-
0.5
IC=1A, IB=0.25A
-
1
Collector-Emitter saturation voltage
VCE(sat)*
IC=1.5A, IB=0.5A
-
3
V
IC=0.5A, IB=0.1A
-
1
Base-Emitter saturation voltage
VBE(sat)*
IC=1A, IB=0.25A
-
1.2
V
Transition frequency
fT
VCB=10V, IC=0.1A, f=1MHz
4
-
MHz
Output capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz
-
21
-
pF
Turn on Time
ton
-
1.1
Storage Time
tstg
-
4
Fall Time
tf
VCC=125V,IC=1A
IB1=-IB2=0.2A
-
0.7
* Pulse test: PW≤300 , Duty cycle≤2% Pulse
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