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参数资料
| 型号： | STD8N06T4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 8A条（丁）|对252AA |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | STD8N06T4 |
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STD8N06
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| STD909T4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STD8N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR |
| STD8N10L1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251 |
| STD8N60DM2 | 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:375pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 |
| STD8N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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