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参数资料
| 型号： | STFHCB |
| 厂商： | VECTRON INTERNATIONAL |
| 元件分类： | XO, clock |
| 英文描述： | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, CMOS/TTL OUTPUT |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | STFHCB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGFNIB-34.695MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 34.695 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
| SGFGIA-52.000MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 52 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
| SGFGIB-16.500MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 16.5 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
| STFGCB-16.500MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 16.5 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
| SGFHCB-12.352MHZ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 12.352 MHz, CMOS/TTL OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STFI10N62K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP |
| STFI10N65K3 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSF N CH 650V 10A I2PAKFP |
| STFI10NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.65 Ohm 10A SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STFI11N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:670 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281） 标准包装:50 |
| STFI11NM65N | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-Ch 650 V 0.425 Ohm 11 A MDmesh(TM) V |
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