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参数资料
| 型号： | STGW50NB60M |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
| 中文描述： | N沟道50A条- 600V的-对IGBT的247 PowerMESH⑩ |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | STGW50NB60M |
1/9
May 2003
STGW50NB60M
N-CHANNEL 50A - 600V
- TO-247
PowerMESH IGBT
(
G
) Pulse width limitedby safe operating area
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix "M" identifies a family optimized to
achieve very low saturation on voltage for frequency
applications <10 KHz.
APPLICATIONS
I
MOTOR CONTROL
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
TYPE
V
CES
V
CE(sat)(25°C)
I
C
STGW50NB60M
600 V
< 1.9
V
50 A
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
100
A
50
A
400
A
250
W
2
W/°C
–65 to 150
°C
150
°C
TO-247
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT |
| STH4N90 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH4N90FI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STH51002Z | 1300nm Laser in Coaxial TO-Package |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STGW50NC60W | 功能描述:IGBT 晶体管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW60H60DLFB | 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 开关能量:626μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW60H65DF | 功能描述:IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| STGW60H65DFB | 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 开关能量:1.09mJ（开），626μJ（关） 输入类型:标准 栅极电荷:306nC 25°C 时 Td（开/关）值:51ns/160ns 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:60ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 |
| STGW60H65DRF | 功能描述:IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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