型号: | STI408000-60GG |
元件分类: | DRAM |
英文描述: | 8M X 40 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA72 |
封装: | SIMM-72 |
文件页数: | 6/6页 |
文件大小: | 229K |
代理商: | STI408000-60GG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
STI648100G1-50VGB | 8M X 64 FAST PAGE DRAM MODULE, 50 ns, DMA144 |
STI724007D1-70VGM | 4M X 72 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
STI94000A-60GCI | 4M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA30 |
STI94000A-60GEN | 4M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA30 |
STI94000A-60GGS | 4M X 9 FAST PAGE DRAM MODULE, 60 ns, SMA30 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
STI409 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
STI40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):32A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 |
STI410 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
STI411 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
STI413 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |