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参数资料
| 型号： | STI408000-80GH |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 40 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72 |
| 封装： | SIMM-72 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | STI408000-80GH |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STI408000-80GR | 8M X 40 FAST PAGE DRAM MODULE, 80 ns, SMA72 |
| STI321000C1-80SM | 1M X 32 MULTI DEVICE DRAM CARD, 80 ns, XMA88 |
| SM0-67140L-45SHXXX:R | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, UUC48 |
| SM4K-67140V-45LHXXX:D | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, CQCC48 |
| SMKK-67140V-45FHXXX | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 45 ns, CQFP48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STI409 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| STI40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 |
| STI410 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
| STI411 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | TO-3 |
| STI413 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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