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参数资料
| 型号： | STIEC45-24AS |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | STIEC45-24AS |
STIEC45-XXAS
Characteristics
Doc ID 16871 Rev 1
3/9
Note:
Surge capability given for both directions for unidirectional and bidirectional types.
Table 3.
Electrical characteristics - parameter values (Tamb = 25 °C)
Order code
IRM @VRM
VBR @IR
(1)
VCL @IPP
8/20 s, 1.2/50 s
RD
(2)
8/20 s
αT (3)
25 °C
85 °C
Min.
Typ.
Max.
Typ.
max
A
V
mA
V
A
Ω
10-4/ °C
STIEC45-24AS
0.2
1
24
26.7
28.2
29.5
1
42
500
0.025
9.6
STIEC45-26AS
0.2
1
26
28.9
30.3
31.9
1
45
500
0.026
9.7
STIEC45-27AS
0.2
1
27
30
31.6
33.2
1
47
500
0.028
9.7
STIEC45-28AS
0.2
1
28
31.1
32.6
34.3
1
49
500
0.029
9.8
STIEC45-30AS
0.2
1
30
33.3
35
36.8
1
55
500
0.036
9.9
STIEC45-33AS
0.2
1
33
36.7
38.6
40.6
1
59
500
0.036
10
1.
Pulse test: tp < 50 ms
2.
To calculate maximum clamping voltage at other surge levels: VCLmax = RD x IPP + VBRmax
3.
To calculate VBR versus junction temperature: VBR @ Tj = VBR @ 25°C x (1 + αT x (Tj – 25))
Figure 2.
Pulse form
Figure 3.
Peak pulse current versus initial
junction temperature
Repetitive pulse current
tr = rise time (s)
tp = pulse duration time (s)
tp
t
tr
% Ipp
100
50
0
100
200
300
400
500
600
0
25
50
75
100
125
150
175
T (°C)
j
I (A)
PP
8/20 s, 1.2/50 s
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