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参数资料
| 型号： | STK12C68-WF35I |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM |
| 中文描述： | 8K的× 8自动存储非易失QuantumTrap⑩⑩的CMOS非易失性静态随机存储器 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 694K |
| 代理商： | STK12C68-WF35I |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STK12C68-5WF35I | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM |
| STK12C68-WF35M | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM |
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| STK12C68-WF25 | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM |
| STK12C68-5WF25 | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STK12C68-WF45 | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| STK12C68-WF45I | 功能描述:NVRAM 8Kbx8 4.5-5.5V AutoStore RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| STK12C68-WF45ITR | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:STK12C68-WF45ITR - Tape and Reel |
| STK12C68-WF45TR | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:STK12C68-WF45TR - Tape and Reel |
| STK13003 | 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-82 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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