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参数资料
| 型号： | STK22C48-P20 |
| 英文描述： | DIODE TVS 13V 400W UNI 5% SMA |
| 中文描述： | NVRAM中（EEPROM的基础） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STK22C48-P20 |
STK22C48
July 1999
3-23
SRAM READ CYCLES #1 & #2
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
,
f
Note h:
Note i:
Note j:
SRAM READ CYCLE #1:
Address Controlled
h
,
i
W and HSB must be high during SRAM READ cycles.
Device is continuously selected with E and G both low.
Measured
±
200mV from steady state output voltage.
SRAM READ CYCLE #2:
E
Controlled
h
NO.
SYMBOLS
PARAMETER
STK22C48-20
STK22C48-25
STK22C48-35
STK22C48-45
UNITS
#1, #2
Alt.
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
1
t
ELQV
t
AVAVh
t
AVQVi
t
ACS
Chip Enable Access Time
20
25
35
45
ns
2
t
RC
Read Cycle Time
20
25
35
45
ns
3
t
AA
Address Access Time
22
25
35
45
ns
4
t
GLQV
t
AXQXi
t
OE
Output Enable to Data Valid
8
10
15
20
ns
5
t
OH
Output Hold after Address Change
5
5
5
5
ns
6
t
ELQX
t
EHQZj
t
LZ
Chip Enable to Output Active
5
5
5
5
ns
7
t
HZ
Chip Disable to Output Inactive
7
10
13
15
ns
8
t
GLQX
t
GHQZj
t
ELICCHg
t
EHICCLg
t
OLZ
Output Enable to Output Active
0
0
0
0
ns
9
t
OHZ
Output Disable to Output Inactive
7
10
13
15
ns
10
t
PA
Chip Enable to Power Active
0
0
0
0
ns
11
t
PS
Chip Disable to Power Standby
25
25
35
45
ns
DATA VALID
5
t
AXQX
3
t
AVQV
DQ (DATA OUT)
ADDRESS
2
t
AVAV
6
t
ELQX
STANDBY
DATA VALID
8
t
GLQX
4
t
GLQV
Q (DATA OUT)
E
ADDRESS
2
t
AVAV
G
I
CC
ACTIVE
1
t
ELQV
10
t
ELICCH
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
9
t
GHQZ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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