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参数资料
| 型号： | STK22C48-S45 |
| 英文描述： | NVRAM (EEPROM Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（EEPROM的基础） |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STK22C48-S45 |
STK22C48
July 1999
3-26
AutoStore
/ POWER-UP
RECALL
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b,
f
Note s:
Note t:
t
RESTORE
starts from the time V
CC
rises above V
SWITCH
.
HSB is asserted low for 1
μ
s
when V
CAP
drops through V
SWITCH
. If an SRAM write has not taken place since the last nonvolatile cycle, HSB will
be released and no
STORE
will take place.
AutoStore
/ POWER-UP
RECALL
NO.
SYMBOLS
PARAMETER
STK22C48
UNITS
NOTES
Standard
Alternate
MIN
MAX
27
t
RESTORE
Power-up
RECALL
Duration
550
μ
s
s
28
t
STORE
t
HLHZ
STORE
Cycle Duration
10
ms
p, q, t
29
t
VSBL
Low Voltage Trigger (V
SWITCH
) to HSB Low
300
ns
m
30
t
DELAY
t
BLQZ
Time Allowed to Complete SRAM Cycle
1
μ
s
p
31
V
SWITCH
Low Voltage Trigger Level
4.0
4.5
V
32
V
RESET
Low Voltage Reset Level
3.9
V
30
t
DELAY
29
t
VSBL
POWER-UP
RECALL
BROWN OUT
NO
STORE
(NO SRAM WRITES)
NO
RECALL
(V
CC
DID NOT GO
BELOW V
RESET
)
BROWN OUT
AutoStore
NO
RECALL
(V
CC
DID NOT GO
BELOW V
RESET
)
BROWN OUT
AutoStore
RECALL
WHEN
V
CC
RETURNS
ABOVE V
SWITCH
AutoStore
TM
HSB
W
DQ (DATA OUT)
28
t
STORE
27
t
RESTORE
POWER-UP
RECALL
31
V
SWITCH
32
V
RESET
V
CC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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