型号: | STL39007G |
元件分类: | 开关 |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 525K |
代理商: | STL39007G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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STL3N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):408pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(2x2) 标准包装:1 |
STL3NK40 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFETVFQFPN POWER FLAT 14 5X5 - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STMicroelectronics STL3NK40 MOSFETs 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 400V 8POWERFLAT 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 400V POWERFLAT14 |
STL3NM60N | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
STL40C30H3LL | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A,30A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):475pF @ 24V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 |
STL40DN3LLH5 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |