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参数资料
| 型号： | STL51007G |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 光发射 |
| 英文描述： | FIBER OPTIC LASER DIODE EMITTER, 1280-1330nm, 1000Mbps, PANEL MOUNT, TO-18, FC CONNECTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, SIMILAR TO TO-46, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | STL51007G |
STL51007x
Description
Data Sheet
4
2001-06-01
Figure 3
DFB Laserdiode
Regulatory Compliance
Feature
Standard
Comments
Electrostatic
Discharge (ESD) to the
Electrical Pins
MIL-STD 883D
Method 3015.7
Class 1 (<500 V)
Wavelength
λ
Intensity
0
012
3
4
5
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STL51007N | FIBER OPTIC LASER DIODE EMITTER, 1280-1330nm, 1000Mbps, PANEL MOUNT, TO-18, FC CONNECTOR |
| STLQ015XG15R | FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, PDSO6 |
| STLS2F02-LP | MICROPROCESSOR, PBGA452 |
| STM1645-30 | 1625 MHz - 1665 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| STM6601CQ2BDM6F | 1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDSO12 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STL51007N | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| STL51007X | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:1300 nm Laser in Receptacle Package, Low Power |
| STL51N3LLH5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 0.0105 Ohm 51A STripFET V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STL52N25M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STL55NH3LL | 功能描述:MOSFET N-channel 30 V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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