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参数资料
| 型号： | STM32F101RBT6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 36 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-64 |
| 文件页数： | 44/81页 |
| 文件大小： | 988K |
| 代理商： | STM32F101RBT6TR |
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STM32F101x8, STM32F101xB
Electrical characteristics
Doc ID 13586 Rev 12
5.3.9
Memory characteristics
Flash memory
The characteristics are given at TA = –40 to 85 °C unless otherwise specified.
Table 28.
Flash memory endurance and data retention
Table 27.
Flash memory characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min(1)
1.
Guaranteed by design, not tested in production.
Typ
Max(1)
Unit
tprog
16-bit programming time
TA–40 to +85 °C
40
52.5
70
s
tERASE
Page (1 KB) erase time
TA –40 to +85 °C
20
40
ms
tME
Mass erase time
TA –40 to +85 °C
20
40
ms
IDD
Supply current
Read mode
fHCLK = 36 MHz with 1 wait
state, VDD = 3.3 V
20
mA
Write / Erase modes
fHCLK = 36 MHz, VDD = 3.3 V
5mA
Power-down mode / Halt,
VDD = 3.0 to 3.6 V
50
A
Vprog
Programming voltage
2
3.6
V
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
Min(1)
1.
Based on characterization not tested in production.
Typ
Max
NEND
Endurance
TA = –40 °C to 85 °C
10
kcycles
tRET
Data retention
TA = 85 °C, 1 kcycle
(2)
2.
Cycling performed over the whole temperature range.
30
Years
TA = 55 °C, 10 kcycle
20
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STM32F101RBU6XXX | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Medium-density access line, ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, 6 timers, ADC and 7 communication interfaces |
| STM32F101RC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High-density access line, ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512 KB Flash, 9 timers, 1 ADC and 10 communication interfaces |
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