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参数资料
| 型号： | STM32L151CBT6DTR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-48 |
| 文件页数： | 73/106页 |
| 文件大小： | 1417K |
| 代理商： | STM32L151CBT6DTR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页当前第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
STM32L151xx, STM32L152xx
Electrical characteristics
Doc ID 17659 Rev 1
6.3.9
EMC characteristics
Susceptibility tests are performed on a sample basis during device characterization.
Functional EMS (electromagnetic susceptibility)
While a simple application is executed on the device (toggling 2 LEDs through I/O ports). the
device is stressed by two electromagnetic events until a failure occurs. The failure is
indicated by the LEDs:
●
Electrostatic discharge (ESD) (positive and negative) is applied to all device pins until
a functional disturbance occurs. This test is compliant with the IEC 61000-4-2 standard.
●
FTB: A Burst of Fast Transient voltage (positive and negative) is applied to VDD and
VSS through a 100 pF capacitor, until a functional disturbance occurs. This test is
compliant with the IEC 61000-4-4 standard.
A device reset allows normal operations to be resumed.
The test results are given in Table 33. They are based on the EMS levels and classes
defined in application note AN1709.
Table 32.
Flash memory endurance and data retention
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
Min(1)
1.
Based on characterization not tested in production.
Typ
Max
NCYC
Erase / write cycles
(program memory)
See notes(2)
2.
Retention guaranteed after cycling is 10 years @ 55*°C
TBD
kcycles
Erase / write cycles (data memory)
See notes(3)
3.
Retention guaranteed after cycling is 1 year @ 55*°C
TBD
tRET
Data retention (program memory)
after 10 kcycles at TA = 85 °C
TRET = +55 °C
TBD
Years
Data retention (data memory) after 10
kcycles at TA = 85 °C
TRET = +55 °C
TBD
Data retention (program memory)
after 10 kcycles at TA = 85 °C
TRET = +85 °C
TBD
Table 33.
EMS characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Level/
Class
VFESD
Voltage limits to be applied on any I/O pin to
induce a functional disturbance
VDD = 3.3 V, LQFP100, TA = +25 °C,
fHCLK = 32 MHz
conforms to IEC 61000-4-2
TBD
VEFTB
Fast transient voltage burst limits to be
applied through 100 pF on VDD and VSS
pins to induce a functional disturbance
VDD = 3.3 V, LQFP100, TA = +25 °C,
fHCLK = 32 MHz
conforms to IEC 61000-4-4
TBD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| STM32L152CBT6TR | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP48 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STM32L151CBU6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC MCU 32 BIT 128KB FLASH 48 UFQFPN |
| STM32L151CBU6A | 功能描述:IC MCU 32BIT 128KB FLASH 48QFPN 制造商:stmicroelectronics 系列:STM32L1 包装:托盘 零件状态:在售 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:37 程序存储容量:128KB（128K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:32K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:48-UFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:48-UFQFPN（7x7） 标准包装:260 |
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