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参数资料
| 型号： | STM32L151V8T6TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LQFP-100 |
| 文件页数： | 91/106页 |
| 文件大小： | 1417K |
| 代理商： | STM32L151V8T6TR |
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STM32L151xx, STM32L152xx
Electrical characteristics
Doc ID 17659 Rev 1
Figure 25.
ADC accuracy characteristics
Table 50.
ADC accuracy (1)(2)
1.
Better performance could be achieved in restricted VDD, frequency, VREF and temperature ranges.
2.
ADC Accuracy vs. Negative Injection Current: Injecting negative current on any of the standard (non-
robust) analog input pins should be avoided as this significantly reduces the accuracy of the conversion
being performed on another analog input. It is recommended to add a Schottky diode (pin to ground) to
standard analog pins which may potentially inject negative current.
Any positive injection current within the limits specified for IINJ(PIN) and ΣIINJ(PIN) in Section 6.3.11 does not
affect the ADC accuracy.
Symbol
Parameter
Test conditions
Typ
Max(3)
3.
Based on characterization, not tested in production.
Unit
ET
Total unadjusted error
fPCLK2 = 56 MHz,
fADC = 14 MHz, RAIN < 10 kΩ,
VDDA = 2.4 V to 3.6 V
Measurements made after
ADC calibration
±TBD ±TBD
LSB
EO
Offset error
±TBD ±TBD
EG
Gain error
±TBD ±TBD
ED
Differential linearity error
±TBD ±TBD
EL
Integral linearity error
±TBD ±TBD
ENOB
Effective number of bits
±TBD ±TBD
bits
SINAD
Signal-to-noise and distortion ratio
±TBD ±TBD
dB
SNR
Signal-to-noise ratio
±TBD ±TBD
THD
Total harmonic distortion
±TBD ±TBD
EO
EG
1LSBIDEAL
(1) Example of an actual transfer curve
(2) The ideal transfer curve
(3) End point correlation line
ET=Total Unadjusted Error: maximum deviation
between the actual and the ideal transfer curves.
EO=Offset Error: deviation between the first actual
transition and the first ideal one.
EG=Gain Error: deviation between the last ideal
transition and the last actual one.
ED=Differential Linearity Error: maximum deviation
between actual steps and the ideal one.
EL=Integral Linearity Error: maximum deviation
between any actual transition and the end point
correlation line.
4095
4094
4093
5
4
3
2
1
0
7
6
1
2
3
456
7
4093 4094 4095 4096
(1)
(2)
ET
ED
EL
(3)
VDDA
VSSA
ai14395b
VREF+
4096
(or
depending on package)]
VDDA
4096
[1LSBIDEAL =
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STM32L151V8T6D | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| STM32L151V8H6D | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA100 |
| STM32L151RBT6 | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| STM32L151RBH6 | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA64 |
| STM32L151RBH6DTR | 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| STM32L151VBT6 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU 32-Bit Arm Cortex M3 128kb UltralowPower RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
| STM32L151VBT6A | 功能描述:IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP 制造商:stmicroelectronics 系列:STM32L1 包装:托盘 零件状态:在售 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 核心尺寸:32-位 速度:32MHz 连接性:I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB 外设:欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数:83 程序存储容量:128KB（128K x 8） 程序存储器类型:闪存 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:32K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 24x12b，D/A 2x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-LQFP（14x14） 标准包装:90 |
| STM32L151VCH6 | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32B ARM Cortex-M3 256Kb Flsh 32MHz CPU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT |
| STM32L151VCT6 | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32B ARM Cortex-M3 256Kb Flsh 32MHz CPU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 处理器系列:TMS320F28x 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:90 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:LQFP-80 安装风格:SMD/SMT |
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