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参数资料
型号： STM32L151VBH6TR
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 32 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA100
封装： 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, UFBGA-100
文件页数： 88/106页
文件大小： 1417K
代理商： STM32L151VBH6TR
Electrical characteristics
STM32L151xx, STM32L152xx
82/106
Doc ID 17659 Rev 1
Figure 24.
USB timings: definition of data signal rise and fall time
Table 46.
USB DC electrical characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min.(1)
1.
All the voltages are measured from the local ground potential.
Max.(1)
Unit
Input levels
VDD
USB operating voltage(2)
2.
To be compliant with the USB 2.0 full-speed electrical specification, the USBDP (D+) pin should be pulled
up with a 1.5 k
Ω resistor to a 3.0-to-3.6 V voltage range.
3.0(3)
3.
The STM32L15xxx USB functionality is ensured down to 2.7 V but not the full USB electrical characteristics
which are degraded in the 2.7-to-3.0 V VDD voltage range.
3.6
V
VDI
(4)
4.
Guaranteed by characterization, not tested in production.
Differential input sensitivity
I(USBDP, USBDM)
0.2
V
VCM
(4)
Differential common mode range Includes VDI range
0.8
2.5
VSE
(4)
Single ended receiver threshold
1.3
2.0
Output levels
VOL
Static output level low
RL of 1.5 kΩ to 3.6 V
(5)
5.
RL is the load connected on the USB drivers.
0.3
V
VOH
Static output level high
RL of 15 kΩ to VSS
(5)
2.8
3.6
Table 47.
USB: full-speed electrical characteristics
Driver characteristics(1)
1.
Guaranteed by design, not tested in production.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
tr
Rise time(2)
2.
Measured from 10% to 90% of the data signal. For more detailed informations, please refer to USB
Specification - Chapter 7 (version 2.0).
CL = 50 pF
420
ns
tf
Fall Time(2)
CL = 50 pF
4
20
ns
trfm
Rise/ fall time matching
tr/tf
90
110
%
VCRS
Output signal crossover voltage
1.3
2.0
V
ai14137
tf
Differen tial
Data L ines
VSS
VCRS
tr
Crossover
points
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PDF描述
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