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参数资料
| 型号： | STM8L151C8U3DSTM8L151C8U3D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, QCC48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, UFQFPN-48 |
| 文件页数： | 109/122页 |
| 文件大小： | 1190K |
| 代理商： | STM8L151C8U3DSTM8L151C8U3D |
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STM8L15xx8, STM8L15xR6
Electrical parameters
Doc ID 17943 Rev 1
Internal clock sources
Subject to general operating conditions for VDD, and TA.
High speed internal RC oscillator (HSI)
Figure 15. Typical HSI frequency vs VDD
Table 32.
HSI oscillator characteristics
Symbol
Parameter
Conditions(1)
Min
Typ
Max
Unit
fHSI
Frequency
VDD = 3.0 V
16
MHz
ACCHSI
(2)
Accuracy of HSI
oscillator (factory
calibrated)
VDD = 3.0 V, TA = 25 °C
-1
1
%
VDD = 3.0 V, 0 °C ≤TA ≤ 55 °C
-1.5
1.5
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 70 °C
-2
2
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 85 °C
-2.5
2
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 125 °C
-4.5
2
%
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
-4.5
3
%
TRIM(2)
HSI user trim
resolution
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
±0.4 (2)
±0.5(2)
%
tsu(HSI)
(3)
HSI oscillator setup
time (wakeup time)
3.7
7.4
s
IDD(HSI)
HSI oscillator power
consumption
100
140
A
1.
VDD = 3.0 V, TA = -40 to 125 °C unless otherwise specified.
2.
Based on characterization, not tested in production.
3.
Guaranteed by design, not tested in production
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PDF描述 |
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| STM8L151F2P6TR | 功能描述:8位微控制器 -MCU Ultra-Lo-pwr 8-bit MCU 8kB RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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| STM8L151F2U6TR | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8-bit Ultralow MCU 20 pin 4kb Flash RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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