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参数资料
| 型号： | STM8L152C4U3 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, QCC48 |
| 封装： | 7 X 7 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFQFPN-48 |
| 文件页数： | 84/109页 |
| 文件大小： | 2050K |
| 代理商： | STM8L152C4U3 |
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Electrical parameters
STM8L151xx, STM8L152xx
Doc ID 15962 Rev 3
Internal clock sources
Subject to general operating conditions for VDD, and TA.
High speed internal RC oscillator (HSI)
Low speed internal RC oscillator (LSI)
Table 29.
HSI oscillator characteristics
Symbol
Parameter (1)
Conditions(1)
Min
Typ
Max
Unit
fHSI
Frequency
VDD = 3.0 V
16
MHz
ACCHSI
Accuracy of HSI
oscillator (factory
calibrated)
VDD = 3.0 V, TA = 25 °C
-1 (2)
1 (2)
%
VDD = 3.0 V, 0 °C ≤TA ≤ 55 °C
-1.5 (2)
1.5 (2)
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 70 °C
-2 (2)
2 (2)
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 85 °C
-2.5 (2)
%
VDD = 3.0 V, -10 °C ≤TA ≤ 125 °C
-4.5 (2)
2 (2)
%
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
-4.5
3
%
TRIM
HSI user trim
resolution
1.65 V
≤VDD ≤ 3.6 V,
-40 °C
≤TA ≤ 125 °C
±0.4 (2)
±0.5(2)
%
tsu(HSI)
HSI oscillator setup
time (wakeup time)
3.7
7.4 (2)
s
IDD(HSI)
HSI oscillator power
consumption
100
140 (2)
A
1.
VDD = 3.0 V, TA = -40 to 125 °C unless otherwise specified.
2.
Data based on characterization results, not tested in production.
Table 30.
LSI oscillator characteristics
Symbol
Parameter (1)
1.
VDD = 1.8 V to 3.0 V, TA = -40 to 125 °C unless otherwise specified.
Conditions(1)
Min
Typ
Max
Unit
fLSI
Frequency
26
38
56
kHz
tsu(LSI)
LSI oscillator wakeup time
TBD
TBD(2)
2.
Data based on characterization results, not tested in production.
s
IDD(LSI)
LSI oscillator frequency
drift(3)
3.
This is a deviation for an individual part, once the initial frequency has been measured.
0 °C
≤TA ≤ 85 °C
-10
4
%
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