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参数资料
| 型号： | STM8L162R8T6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 16 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 X 10 MM, LQFP-64 |
| 文件页数： | 8/116页 |
| 文件大小： | 1229K |
| 代理商： | STM8L162R8T6 |
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STM8L162R8, STM8L162M8
Electrical parameters
Doc ID 17959 Rev 1
Table 52.
ADC1 accuracy with VDDA = 3.3 V to 2.5 V
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
Max(1)
1.
Data based on characterization, not tested in production.
Unit
DNL
Differential non linearity
fADC = 16 MHz
1
TBD
LSB
fADC = 8 MHz
1
TBD
fADC = 4 MHz
1
TBD
INL
Integral non linearity
fADC = 16 MHz
1.2
TBD
fADC = 8 MHz
1.2
TBD
fADC = 4 MHz
1.2
TBD
TUE
Total unadjusted error
fADC = 16 MHz
2.2
TBD
fADC = 8 MHz
1.8
TBD
fADC = 4 MHz
1.8
TBD
Offset
Offset error
fADC = 16 MHz
1.5
TBD
LSB
fADC = 8 MHz
1
TBD
fADC = 4 MHz
0.7
TBD
Gain
Gain error
fADC = 16 MHz
1TBD
fADC = 8 MHz
fADC = 4 MHz
Table 53.
ADC1 accuracy with VDDA = 2.4 V to 3.6 V
Symbol
Parameter
Typ
Max(1)
Unit
DNL
Differential non linearity
1
TBD
LSB
INL
Integral non linearity
1.7
TBD
LSB
TUE
Total unadjusted error
2TBD
LSB
Offset
Offset error
1
TBD
LSB
Gain
Gain error
1.5
TBD
LSB
1.
Data based on characterization, not tested in production.
Table 54.
ADC1 accuracy with VDDA = VREF
+ = 1.8 V to 2.4 V
Symbol
Parameter
Typ
Max(1)
Unit
DNL
Differential non linearity
1
TBD
LSB
INL
Integral non linearity
2TBD
LSB
TUE
Total unadjusted error
3TBD
LSB
Offset
Offset error
2
TBD
LSB
Gain
Gain error
2
TBD
LSB
1.
Data based on characterization, not tested in production.
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