型号: | STN6476SMSTX |
厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | STN6476SMSTX |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
STN6472SMSTXV | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
STN6473TXV | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
STN6475SMSTXV | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
STN6476SMSTXV | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
STN6473SMSTXV | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
STN6-830 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
STN690A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Medium current Hi perform Lo Vltg NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN715 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN715T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN724 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |