型号: | STN6476TXV |
厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | STN6476TXV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SB140-E3/54 | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
SMF10A-M-08 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-219AB |
SMCJ75CAE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SBL1030-BP | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
SS5616US | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
STN6-830 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
STN690A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Medium current Hi perform Lo Vltg NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN715 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN715T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
STN724 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |