- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372359 > STP1081ABGA-150 ASIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STP1081ABGA-150 |
| 英文描述： | ASIC |
| 中文描述： | 专用集成电路 |
| 文件页数： | 5/21页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | STP1081ABGA-150 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP1091PGA-75 | Cache Controller |
| STP1091PGA-90 | Cache Controller |
| STP10N10L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
| STP10N10LFI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB |
| STP1010TAB-50 | 32-Bit Microprocessor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP1091PGA-75 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP1091PGA-90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Cache Controller |
| STP10LN80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP10N105K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1050V（1.05kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
| STP10N10L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。