参数资料
型号: STP1091PGA-90
英文描述: Cache Controller
中文描述: 高速缓存控制器
文件页数: 13/21页
文件大小: 746K
代理商: STP1091PGA-90
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PDF描述
STP10N10L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
STP10N10LFI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP1010TAB-50 32-Bit Microprocessor
STP1012PGA-110 32-Bit Microprocessor
STP10NC50 N - CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
STP10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50
STP10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1050V(1.05kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 欧姆 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50
STP10N10L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
STP10N10LFI 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
STP10N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STP10N60M2 Series 600 V 7.5 A 0.6 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 7.5A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A MDmesh II TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.56Ohm,7.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.56,7.5A,N-Channel Power MOSFET