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参数资料
| 型号： | STP10N10L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 100V的五（巴西）直| 10A条（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | STP10N10L |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| STP10NC50FP | N - CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STP10N65K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch Power Mosfet TO 220AB Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP10N95K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 |
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