参数资料
型号: STP11N06
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五(巴西)直| 11A条(丁)| TO - 220AB现有
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代理商: STP11N06
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PDF描述
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STP11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):670 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50
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