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参数资料
| 型号： | STP11NK50ZFP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| 中文描述： | N沟道500V - 0.48ohm - 10A条TO-220/TO-220FP/D2PAK齐保护的SuperMESH⑩功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | STP11NK50ZFP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP11NC40 | N-CHANNEL 400V - 0.44ohm - 9.5A TO-220/TO-220FP PowerMESH⑩II Power MOSFET |
| STP11NC40FP | N-CHANNEL 400V - 0.44ohm - 9.5A TO-220/TO-220FP PowerMESH⑩II Power MOSFET |
| STP11NK50Z | N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP11NM80 | N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
| STP16NE06FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP11NM50N | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 7.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP11NM60 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP11NM60_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET |
| STP11NM60A | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP11NM60AFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET |
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