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参数资料
| 型号： | STP11NM80 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 800V - 0.35ohm - 11A TO-220/FP/D2PAK/TO-247 MDmesh?Power MOSFET |
| 中文描述： | N沟道800V的- 0.35ohm - 11A条TO-220/FP/D2PAK/TO-247的MDmesh？功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | STP11NM80 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP16NE06FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| STP16C596 | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596B1R | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596M | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596MTR | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP11NM80_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh? Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 |
| STP1201PGM | 制造商:Ferraz Shawmut 功能描述: |
| STP120N4F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP120NF04 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP120NF04_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFET |
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