- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372359 > STP16NE06FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STP16NE06FI |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220 |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 60V的五（巴西）直| 11A条（丁）|至220 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | STP16NE06FI |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP16C596 | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596B1R | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596M | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596MTR | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
| STP16C596TTR | 16-BIT CONSTANT CURRENT LED SINK DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP16NE06FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET |
| STP16NE06L | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 60V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| STP16NE06L/FP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET |
| STP16NE06LFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET |
| STP16NF06 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。