- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98149 > STP2001QFP MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | STP2001QFP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| 封装： | PLASTIC, QFP-160 |
| 文件页数： | 10/18页 |
| 文件大小： | 551K |
| 代理商： | STP2001QFP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
| STP2024PQFP | 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120 |
| STP2200ABGA-100 | 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225 |
| STP2202ABGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
| STP2202BGA-100 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STP2002QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP2003PQFP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral IC |
| STP2003QFP | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP200N3LL | 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000 |
| STP200N4F3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。