参数资料
型号: STP2003QFP
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述: 250 的低电流运算,低反向泄露,低噪声稳压二极管
文件页数: 13/20页
文件大小: 221K
代理商: STP2003QFP
13
32-bit SBus Master I/O Controller
Master I/O
STP2000QFP
July 1997
T
IMING
D
IAGRAMS
Figure 4. SBus Input Timing
SB_CLK
1
2
3
SB_BG, SB_SEL
5
4
5
4
SB_PA[W, X, Y, 5:0]
CHIP_SEL, SB_RD
SB_AS, SB_D[31:0]
5
5
7
6
SB_SIZ[2:0]
SB_ACK[2:0]
SB_LERR
Figure 5. SBus Output Timing
SB_CLK
1
2
3
SB_RD, SB_D[31:0]
SB_ACK[2:0]
SB_SIZ[2:0]
SB_BR
8
8
9
8
This Material Copyrighted by Its Respective Manufacturer
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STP200N3LL 功能描述:N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 60A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:2,000
STP200N4F3 功能描述:MOSFET N-Ch 40Volt 120Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP200N6F3 功能描述:MOSFET N-channel 60 V 120 A PAK TO-22 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP200NF03 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STP200NF04 功能描述:MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube