参数资料
型号: STPS1045H
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: IPAK-4
文件页数: 2/5页
文件大小: 73K
代理商: STPS1045H
STPS1045B/H
2/5
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
3
°C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR =45V
100
A
Tj = 125°C
7
15
mA
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 10 A
0.63
V
Tj = 125°C
IF = 10 A
0.5
0.57
Tj = 25°C
IF = 20 A
0.84
Tj = 125°C
IF = 20 A
0.65
0.72
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Pulse test :
* tp = 380 s,
δ <2%
**tp = 5 ms,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P=0.42xIF(AV) + 0.015 IF
2
(RMS)
01234567
89
10
11
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=70°C/W
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ=0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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参数描述
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