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参数资料
| 型号： | STPS10H100CR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, I2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | STPS10H100CR |
STPS10H100CT/CG/CR/CFP
3/7
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
IM(A)
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=125°C
t(s)
IM
t
δ=0.5
Fig. 5-1:
Non repetitive surge peak forward
current
versus
overload
duration
(maximum
values, per diode)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Fig. 6-1: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t(s)
IM(A)
Tc=50°C
Tc=75°C
Tc=125°C
IM
t
δ=0.5
Fig. 5-2: Non repetitive surge peak forward current
versus overload duration (maximum values, per
diode)(TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
Fig. 6-2: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (per
diode).(TO-220FPAB)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating ver-
sus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10L40CT | 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS10L40CFP | 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| STPS15L25D | 15 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPS16045TV | 80 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS1645D | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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