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参数资料
| 型号： | STPS10L40CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | STPS10L40CT |
Characteristics
STPS10L40C
4/9
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
(TO-220AB and D2PAK)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
(TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values,
per diode)
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness:
35 m) ( D2PAK)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
I (mA)
R
V (V)
R
T =100°C
j
T =150°C
j
T =25°C
j
12
5
10
20
50
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =125°C
j
T =150°C
(typical values)
j
T =25°C
j
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10L40CFP | 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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| STPS1645D | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
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参数描述 |
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