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参数资料
| 型号： | STPS10L45CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | STPS10L45CT |
Characteristics
STPS10L45C
4/10
Figure 7.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
(TO-220AB, I2PAK and D2PAK)
Figure 8.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration (TO-220FPAB)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Figure 9.
Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values, per diode)
Figure 11.
Forward voltage drop versus
forward current (maximum values,
per diode)
Figure 12.
Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface
under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness:
35 m) ( D2PAK)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
I (mA)
R
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =25°C
j
12
5
10
20
50
10
100
1000
C(pF)
V (V)
R
F=1MHz
V
=30mV
T =25°C
OSC
RMS
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
FM
V
(V)
FM
T =25°C
j
T =125°C
j
T =150°C
(typical values)
j
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
R
(°C/W)
th(j-a)
S(Cu)(cm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS10L45CG | 5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS1150 | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| STPS1150RL | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| STPS1545FP | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPS1545D | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS10L60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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