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参数资料
| 型号： | STPS10LCD100CFP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FPAB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | STPS10LCD100CFP |
Characteristics
STPS10LCD100C
2/7
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.62 x IF(AV) + 0.016 x IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values per diode at 25 °C, unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
100
V
IF(RMS)
RMS forward current
30
A
IF(AV)
Average forward current,
δ = 0.5
per diode
Tc = 145 °C
5
A
per device
Tc = 135 °C
10
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 8.3 ms sinusoidal
155
A
tp = 10 ms sinusoidal
150
PARM
Repetitive peak avalanche power
tp = 1 s Tj = 25 °C
3360
W
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature(1)
175
°C
dV/dt
Critical rate of rise of reverse voltage
10000
V/s
1.
condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink
dP
tot
dT
j
---------------
1
R
th j
a
–
()
--------------------------
<
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
per diode
6.8
°C/W
per device
4.9
Rth(c)
Coupling
3.0
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
1.5
A
Tj = 125 °C
0.4
1
mA
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 5 A
0.84
V
Tj = 125 °C
0.64
0.70
Tj = 25 °C
IF = 10 A
0.93
V
Tj = 125 °C
0.72
0.78
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2 %
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2 %
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPSC1006G | 10 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE |
| STQ1553-1 | MILITARY/AEROSPACE PRODUCTS |
| STR-8-H | RF COAXIAL RELAY, SP8T, FAILSAFE, 0.325A (COIL), 12VDC (COIL), 3900mW (COIL), 18000MHz, 2W (RF INPUT), PANEL MOUNT |
| STR/LH/8/RAPP/NVG20 | SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
| STR/LH/8/RAF/NVG20 | SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS10LCD150CFP | 制造商:ST 功能描述:High voltage power Schottky rectifier |
| STPS10M80C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Power Schottky rectifier |
| STPS10M80CFP | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Dual 2000V Schottky 80V 45pF 465mV RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS10M80CG-TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Dual Schottky 80V 2 x 5 A 465 mV RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS10M80CR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Dual 2000V Schottky 80V 45pF 465mV RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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