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参数资料
| 型号： | STPS1150RL |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | STPS1150RL |
Characteristics
STPS1150
2/7
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 0.59 x IF(AV) + 0.08 IF
2
(RMS)
Table 2.
Thermal resistance
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-l)
Junction to lead
SMA
20
° C/W
Lead length = 10 mm
DO-41
30
Table 3.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25° C
VR = VRRM
0.2
1.0
A
Tj = 125° C
0.2
1.0
mA
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25° C
IF = 1 A
0.78
0.82
V
Tj = 125° C
0.62
0.67
Tj = 25° C
IF = 2 A
0.85
0.89
Tj = 125° C
0.69
0.75
1.
tp = 5 ms, δ < 2%
2.
tp = 380 s, δ < 2%
Figure 1.
Average forward power
dissipation versus average
forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
P
(W)
F(AV)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
(A)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
I
(A)
F(AV)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
175
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
R
=120°C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-I)
DO-41
SMA
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