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参数资料
| 型号： | STPS15L25D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | STPS15L25D |
STPS15L25D/G
2/5
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
1
°C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameters
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR =
VRRM
1.3
mA
Tj = 125°C
225
450
mA
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 15A
0.46
V
Tj = 125°C
IF = 15A
0.3
0.35
Tj = 25°C
IF = 30A
0.56
Tj = 125°C
IF = 30A
0.41
0.46
Pulse test : * tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P=0.24xIF(AV) + 0.0073 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
δ = 0.05
δ = 0.1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current.
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IF(av)(A)
Rth(j-a)=50°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Tamb(°C)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 0.5).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STPS16045TV | 80 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| STPS20120D | 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| STPS2L30AF | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| STPS2L30UF | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STPS15L25D | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DIODE SCHOTTKY 15A 25V |
| STPS15L25G | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
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