参数资料
型号: STPS16150CG-TR
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 整流器
英文描述: 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 2/5页
文件大小: 93K
代理商: STPS16150CG-TR
STPS16150CT/CG/CR
2/5
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-c)
Junction to case
TO-220AB / D
2PAK/I2PAK
Per diode
3
°C/W
Total
1.8
Rth (c)
TO-220AB / D
2PAK/I2PAK
Coupling
0.6
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR =VRRM
3.0
A
Tj = 125°C
4.0
mA
VF **
Forward voltage drop
Tj = 25
°CIF = 8 A
0.92
V
Tj = 125°C
IF = 8 A
0.70
0.75
Tj=25
°CIF =16 A
1
Tj = 125°C
IF = 16 A
0.8
0.86
Pulse test :
* tp=5ms,
δ <2%
** tp = 380 s,
δ <2%
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P=0.64xIF(AV) + 0.014 IF
2
(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (per diode)
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x Rth(j-c)(Per diode) + P(diode 2) x Rth(c)
012
3
4
56789
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=Rth(j-c)
Rth(j-a)=15°C/W
T
δ=tp/T
tp
Fig. 2: Average forward current versus ambient
temperature (
δ = 0.5, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
Fig. 4: Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
Fig. 3: Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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STPS30150CFP 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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参数描述
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