参数资料
型号: STPS1L30M
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-216AA
封装: ST MITE PACKAGE-2
文件页数: 2/6页
文件大小: 58K
代理商: STPS1L30M
STPS1L30M
2/6
Table 4: Thermal Resistance
* Mounted with minimum recommended pad size, PC board FR4.
Table 5: Static Electrical Characteristics
Pulse test:
* tp = 380 s,
δ < 2%
To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.34 x IF(AV) + 0.07 IF
2
(RMS)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)* Junction to case
20
°C/W
Rth(j-l)* Junction to ambient
250
°C/W
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR *
Reverse leakage current
Tj = 25°C
VR = VRRM
0.13
0.39
mA
Tj = 85°C
5.25
16.5
Tj = 25°C
VR = 20V
0.05
0.24
Tj = 85°C
3.5
10.5
Tj = 25°C
VR = 10V
0.03
0.15
Tj = 85°C
2.4
7
VF *
Forward voltage drop
Tj = 25°C
IF = 1A
0.33
0.39
V
Tj = 85°C
0.28
0.34
Tj = 25°C
IF = 3A
0.45
0.53
Tj = 85°C
0.43
0.51
Figure 1: Conduction losses versus average
current
Figure 2: Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
δ = 0.05
δ = 0.1 δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
P
(W)
F(AV)
I
(A)
F(AV)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
25
50
75
100
125
150
I
(A)
F(AV)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
R
=270°C/W
th(j-a)
T
(°C)
amb
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