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参数资料
| 型号： | STPS1L40M |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-216AA |
| 封装： | ST MITE PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | STPS1L40M |
STPS1L40M
3/6
Figure
3:
Normalized
avalanche
power
derating versus pulse duration
Figure
4:
Normalized
avalanche
power
derating versus junction temperature
Figure 5: Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values)
Figure
6:
Relative
variation
of
thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration
Figure 7: Reverse leakage current versus
reverse voltage applied (typical values)
Figure 8: Reverse leakage current versus
junction temperature (typical values)
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
IM
t
δ=0.5
I (A)
M
t(s)
T =25°C
C
T =75°C
C
T =125°C
C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
T
δ=tp/T
tp
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I (mA)
R
V (V)
R
T =125°C
j
T =150°C
j
T =100°C
j
T =50°C
j
T =25°C
j
T =75°C
j
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
0
25
50
75
100
125
150
I (mA)
R
T (°C)
j
V =40V
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| STPS1L40U | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 40 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| STPS1L40UY | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Auto pwr Schottky 1A 40V VRRM 0.42VF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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