参数资料
型号: STPS1L40MF
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 5/11页
文件大小: 128K
代理商: STPS1L40MF
STPS1L40
Characteristics
Doc ID 5507 Rev 6
3/11
Figure 1.
Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2.
Average forward current versus
ambient temperature (SMA,
δ = 0.5)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T
δ = tp /T
tp
PF(AV)(W)
IF(AV)(A)
δ = 0.05
δ = 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
Rth(j-a) = Rth(j-l)
Rth(j-a) = 120 °C/W
SMA
IF(AV)(A)
Tamb(°C)
150
T
δ = tp /T
tp
Figure 3.
Average forward current versus
ambient temperature (SMB,
δ = 0.5)
Figure 4.
Average forward current versus
ambient temperature
(STmite flat,
δ = 0.5)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
IF(AV)(A)
T
δ = tp /T
tp
Tamb(°C)
SMB
Rth(j-a) = Rth(j-l)
Rth(j-a) = 100 °C/W
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
IF(AV)(A)
150
Tamb(°C)
STmite flat
Rth(j-a) = Rth(j-c)
Rth(j-a) = 250 °C/W
T
δ = tp /T
tp
Figure 5.
Normalized avalanche power
derating versus pulse duration
Figure 6.
Normalized avalanche power
derating versus junction
temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(tp)
P
(1 s)
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
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PDF描述
STPS1L60MF 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-222AA
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