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参数资料
| 型号： | STPS20120D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | STPS20120D |
STPS20120D
3/6
Figure 1: Average forward power dissipation
versus average forward current
Figure 2: Average forward current versus
ambient temperature (
δ = 0.5)
Figure
3:
Normalized
avalanche
power
derating versus pulse duration
Figure
4:
Normalized
avalanche
power
derating versus junction temperature
Figure 5: Non repetitive surge peak forward
current versus overload duration (maximum
values)
Figure
6:
Relative
variation
of
thermal
impedance junction to ambient versus pulse
duration
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
P
(W)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.05
I
(A)
F(AV)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
0
25
50
75
100
125
150
175
I
(A)
F(AV)
T
δ=tp/T
tp
T
(°C)
amb
R
=15°C/W
th(j-a)
R=R
th(j-a)
th(j-c)
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(t )
P
(25°C)
ARM p
ARM
0
20
40
60
80
100
120
140
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
I (A)
M
IM
t
δ=0.5
T =25°C
c
T =75°C
c
T =125°C
c
t(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z/R
th(j-c)
T
δ=tp/T
tp
t (s)
p
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
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PDF描述 |
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