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参数资料
| 型号： | STPS20L120CT |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 20 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220FN, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | STPS20L120CT |
STPS20L120C
Characteristics
Doc ID 15670 Rev 1
3/8
Figure 1.
Average forward power dissipation
vs. average forward current
(per diode)
Figure 2.
Average forward current vs.
ambient temperature
(
δ = 0.5, per diode)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
012
3456
789
10
11
12
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
P
(W)
F(AV)
I
(A)
F(AV)
0
2
4
6
8
10
12
0
25
50
75
100
125
150
R
th(j-a)=Rth(j-c)
R
th(j-a)=15°C/W
T
δ=tp/T
tp
TO-220AB
TO-220FP
I
(A)
F(AV)
T
(°C)
amb
Figure 3.
Normalized avalanche power
derating vs. pulse duration
Figure 4.
Normalized avalanche power
derating vs. junction temperature
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (s)
p
P(t )
P
(1s)
ARM p
ARM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P(Tj)
P
(25 °C)
ARM
Figure 5.
Non repetitive surge peak forward
current vs. overload duration (max.
values, per diode) (TO-220AB)
Figure 6.
Non repetitive surge peak forward
current vs. overload duration (max.
values, per diode) (TO-220FPAB)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
δ =0.5
I (A)
M
t(s)
I (A)
M
0
20
40
60
80
100
120
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
C=25°C
T
C=75°C
T
C=125°C
IM
t
δ =0.5
t(s)
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